Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

IPB107N20N3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

nicht konform

IPB107N20N3GATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $3.84021 -
2,000 $3.69798 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 88A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.7mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.