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IPB180N04S4L01ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

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Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.37314 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 140µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 245 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 19100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 188W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-7-3
Paket / Koffer TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C406NLT1G
NVMFS5C406NLT1G
$0 $/Stück
SIHB12N60ET5-GE3
BUK7Y25-40B,115
BUK7Y25-40B,115
$0 $/Stück
SIRA28BDP-T1-GE3
BUK766R0-60E,118
RSS100N03FRATB
R6009JNXC7G

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