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IPB65R125C7ATMA1

IPB65R125C7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK

compliant

IPB65R125C7ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $2.50049 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 440µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1670 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 101W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STL12N10F7
STL12N10F7
$0 $/Stück
ZVP2120GTC
STB200NF04L
APT40M42JN
2SK3826
2SK3826
$0 $/Stück
FDMC6688P
FDMC6688P
$0 $/Stück

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