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IPB80N06S208ATMA1

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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

compliant

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Name Wert
Produktstatus Discontinued at Digi-Key
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.7mOhm @ 58A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2860 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 215W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STB76NF75
STB76NF75
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IXFT12N100F
IXFT12N100F
$0 $/Stück
IRLR3715
ATP101-TL-HX
ATP101-TL-HX
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IPD90N04S3-04
FQI13N50CTU
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SFT1452-TL-H
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