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IPC100N04S5L1R1ATMA1

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IPC100N04S5L1R1ATMA1

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

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IPC100N04S5L1R1ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
5,000 $1.07922 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 90µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 140 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-34
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDS8884
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NVMFS6D1N08HT1G
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SQ2362ES-T1_GE3
SPP02N60C3
NVTFS4C25NWFTAG
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$0 $/Stück
SPI12N50C3IN
STB75NF20
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SIHG21N65EF-GE3
BUK9Y14-40B,115

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