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IPD031N03LGATMA1

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MOSFET N-CH 30V 90A TO252-3

SOT-23

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IPD031N03LGATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.55548 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.1mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5300 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 94W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRF740STRRPBF
TN2106K1-G
IRFBG30PBF-BE3
BS170FTA
BS170FTA
$0 $/Stück
BSC079N03SG
RM15P60LD
RM15P60LD
$0 $/Stück
NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G
$0 $/Stück
R6046ANZ1C9
SQD50P04-09L_GE3

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