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IPD50P03P4L11ATMA1

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MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3

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IPD50P03P4L11ATMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.57842 -
5,000 $0.54950 -
12,500 $0.52884 -
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 85µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (max) +5V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3770 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 58W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

STP40N60M2
STP40N60M2
$0 $/Stück
SQJ474EP-T2_GE3
PHD108NQ03LT,118
PHD108NQ03LT,118
$0 $/Stück
NTD4865N-1G
NTD4865N-1G
$0 $/Stück
BSH103,215
BSH103,215
$0 $/Stück
RM30N250DF
RM30N250DF
$0 $/Stück
IRF6727MTRPBF
STP20NM50FD

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