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IPP110N20N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3

nicht konform

IPP110N20N3GXKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.11000 $7.11
10 $6.40000 $64
100 $5.26250 $526.25
500 $4.40914 $2204.57
1,000 $3.84021 -
2425 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 88A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 88A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 270µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 87 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

R6009JNJGTL
NVMFS6H836NLWFT1G
NVMFS6H836NLWFT1G
$0 $/Stück
APT60M80L2VRG
IXTT110N10L2
IXTT110N10L2
$0 $/Stück
RM150N100T2
RM150N100T2
$0 $/Stück
IRF3710PBF
FDU8586
PSMN1R5-50YLHX

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