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IPP60R105CFD7XKSA1

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MOSFET N CH

nicht konform

IPP60R105CFD7XKSA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
500 $3.55102 $1775.51
232 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 470µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 42 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1752 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 106W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

SISA18ADN-T1-GE3
NVB5404NT4G
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$0 $/Stück
FQP7P06
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$0 $/Stück
SI7119DN-T1-GE3
PMH1200UPEH
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$0 $/Stück
STU5N95K3
STU5N95K3
$0 $/Stück
SQM50P03-07_GE3
DMT6006LSS-13

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