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IPS70R360P7SAKMA1

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MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3

nicht konform

IPS70R360P7SAKMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.20000 $1.2
75 $0.96467 $72.35025
150 $0.85107 $127.6605
525 $0.67261 $353.12025
1,050 $0.54280 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 517 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 59.5W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO251-3
Paket / Koffer TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Zugehörige Teilenummer

BS270-D74Z
BS270-D74Z
$0 $/Stück
SIHFR9310-GE3
SIA445EDJT-T1-GE3
IXTQ30N60P
IXTQ30N60P
$0 $/Stück
TP5335K1-G
SIHG80N60E-GE3
SI2315BDS-T1-GE3
PMT280ENEAX
PMT280ENEAX
$0 $/Stück

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