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IPT60R028G7XTMA1

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MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

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IPT60R028G7XTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $10.01285 -
319 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 28mOhm @ 28.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1.44mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 123 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4820 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 391W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-2
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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