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IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

IPT65R195G7XTMA1

MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF

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IPT65R195G7XTMA1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $1.70806 -
6,000 $1.64384 -
1732 items
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 14A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 195mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 240µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 996 pF @ 400 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 97W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-HSOF-8-2
Paket / Koffer 8-PowerSFN
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Zugehörige Teilenummer

SISH617DN-T1-GE3
NTHS5443T1
NTHS5443T1
$0 $/Stück
SUD80460E-GE3
PMT200EPEX
PMT200EPEX
$0 $/Stück
IXFA80N25X3-TRL
IXFA80N25X3-TRL
$0 $/Stück
SI4634DY-T1-GE3

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