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IRF100S201

IRF100S201

IRF100S201

MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK

IRF100S201 Technisches Datenblatt

compliant

IRF100S201 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.75313 $1402.504
1,600 $1.63625 -
2,400 $1.55444 -
5,600 $1.49600 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 192A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 115A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9500 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 441W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PG-TO263-3
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/Stück
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/Stück
IRF644STRRPBF
BUZ21
BUZ21
$0 $/Stück
STP10NM60ND
FDI030N06
FDI030N06
$0 $/Stück

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