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IRF1010Z

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MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

IRF1010Z Technisches Datenblatt

compliant

IRF1010Z Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
250 $2.40408 $601.02
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 55 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2840 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 140W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFZ24N,127
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$0 $/Stück
PMV25ENEA215
PMV25ENEA215
$0 $/Stück
BSS84_D87Z
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STL6NM60N
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$0 $/Stück
BS170RLRPG
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SFT1342-TL-W
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APT18M80S
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