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IRF1310NPBF

IRF1310NPBF

IRF1310NPBF

MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB

IRF1310NPBF Technisches Datenblatt

compliant

IRF1310NPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.88000 $1.88
10 $1.70800 $17.08
100 $1.39250 $139.25
500 $1.10510 $552.55
1,000 $0.93267 -
1879 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 36mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 160W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

FDS7296N3
FDD86540
FDD86540
$0 $/Stück
PMCM4401VNEAZ
SQJ486EP-T1_GE3
DMP3056L-7
HUF76113SK8
NTD5867NL-1G
NTD5867NL-1G
$0 $/Stück
IXFX26N120P
IXFX26N120P
$0 $/Stück

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