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SQJ486EP-T1_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 75V 30A PPAK SO-8

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SQJ486EP-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.47232 -
6,000 $0.45014 -
15,000 $0.43430 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 26mOhm @ 51A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1386 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 56W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

DMP3056L-7
HUF76113SK8
NTD5867NL-1G
NTD5867NL-1G
$0 $/Stück
IXFX26N120P
IXFX26N120P
$0 $/Stück
BUK7631-100E,118
BUK7631-100E,118
$0 $/Stück
FDMC86184
FDMC86184
$0 $/Stück
IRF6717MTRPBF
DMT10H009SK3-13

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