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IRFB260NPBF

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MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB

IRFB260NPBF Technisches Datenblatt

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IRFB260NPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.28000 $3.28
50 $2.64680 $132.34
100 $2.38220 $238.22
500 $1.85282 $926.41
1,000 $1.53519 -
369 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 56A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 34A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 220 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4220 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 380W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C612NLAFT1G
NVMFS5C612NLAFT1G
$0 $/Stück
R6004JNXC7G
DMP2160U-7
NTMFS5832NLT1G
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$0 $/Stück
BUK654R6-55C,127
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$0 $/Stück
IXTT140N10P
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$0 $/Stück
IXTQ96N15P
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$0 $/Stück
ZXM61N02FTA

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