Welcome to ichome.com!

logo
Heim

IRFB4229PBF

IRFB4229PBF

IRFB4229PBF

MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB

IRFB4229PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFB4229PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $4.32000 $4.32
10 $3.88100 $38.81
100 $3.22740 $322.74
500 $2.66112 $1330.56
1,000 $2.28360 -
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4560 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 330W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

NTD30N02T4G
NTD30N02T4G
$0 $/Stück
FDB2614
FDB2614
$0 $/Stück
RSF015N06FRATL
PSMN041-80YLX
CSD25211W1015
IRF135B203
NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.