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IRFH5301TRPBF

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MOSFET N-CH 30V 35A/100A PQFN

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IRFH5301TRPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.50635 -
8,000 $0.48104 -
12,000 $0.46295 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.85mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.35V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5114 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PQFN (5x6) Single Die
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF6614TRPBF
SI1317DL-T1-BE3
PMN16XNEX
PMN16XNEX
$0 $/Stück
SQ4064EY-T1_GE3
IXFH12N90P
IXFH12N90P
$0 $/Stück
AUIRFS4115TRL
SQ3427EV-T1_GE3
FDMS8570SDC

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