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IRFH6200TRPBF

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MOSFET N-CH 20V 49A/100A 8PQFN

compliant

IRFH6200TRPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.87100 -
8,000 $0.84240 -
12,000 $0.82680 -
11922 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 49A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 150µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 230 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10890 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-PQFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIHF065N60E-GE3
PMN42XPE,115
SI1012X-T1-GE3
STL57N65M5
STL57N65M5
$0 $/Stück
SI2306BDS-T1-GE3
PMCM4401UNEZ
SIHP125N60EF-GE3
PSMN7R6-60BS,118

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