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IRFI4229PBF

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MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB

IRFI4229PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFI4229PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.65000 $3.65
10 $3.25500 $32.55
100 $2.66880 $266.88
500 $2.16108 $1080.54
1,000 $1.82259 -
4452 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 46mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4480 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STR2P3LLH6
STR2P3LLH6
$0 $/Stück
SIS472BDN-T1-GE3
SIR606DP-T1-GE3
STWA68N60M6
STF25N80K5
STF25N80K5
$0 $/Stück
IRFP9140NPBF
FQD2N90TF
FQA12N60
NVMFS6H818NLT1G
NVMFS6H818NLT1G
$0 $/Stück

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