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IRFP7530PBF

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MOSFET N-CH 60V 195A TO247

IRFP7530PBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRFP7530PBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.91000 $3.91
10 $3.48900 $34.89
400 $2.58200 $1032.8
800 $2.09353 $1674.824
1,200 $1.95395 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 195A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.7V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 411 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13703 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 341W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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