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IRL3102

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MOSFET N-CH 20V 61A TO220AB

IRL3102 Technisches Datenblatt

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IRL3102 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 61A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 7V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 37A, 7V
vgs(th) (max) @ ID 700mV @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 58 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 89W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

STS17NH3LL
STS17NH3LL
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IXFH36N55Q2
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STI18NM60N
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$0 $/Stück
STB190NF04T4
BSP135 E6906
FDD3N40TF
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$0 $/Stück
AUIRF7805Q
IRF6621TR1PBF
FQPF11N40T
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