Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SPW11N60S5

SPW11N60S5

SPW11N60S5

N-CHANNEL POWER MOSFET

SPW11N60S5 Technisches Datenblatt

compliant

SPW11N60S5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.74000 $1.74
500 $1.7226 $861.3
1000 $1.7052 $1705.2
1500 $1.6878 $2531.7
2000 $1.6704 $3340.8
2500 $1.653 $4132.5
15052 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 500µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1460 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PG-TO247-3
Paket / Koffer TO-247-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

CSD17311Q5
CSD17311Q5
$0 $/Stück
MMBF4091
NTMFS4C08NT1G-001
NTMFS4C08NT1G-001
$0 $/Stück
IRFPC50APBF
IRFPC50APBF
$0 $/Stück
PSMN1R0-40YLDX
SIA106DJ-T1-GE3
FDD86102LZ
FDD86102LZ
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.