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IXFH7N100P

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 7A TO247

IXFH7N100P Technisches Datenblatt

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IXFH7N100P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $6.41667 $192.5001
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.9Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2590 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR7540PBF
RCJ510N25TL
PMZ390UN,315
2SK1427
2SK1427
$0 $/Stück
HUF76143S3
NVMFS6H852NLT1G
NVMFS6H852NLT1G
$0 $/Stück
RD3G500GNTL
IXTH6N150
IXTH6N150
$0 $/Stück
MCU60N04A-TP

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