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IXFN140N25T

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B

IXFN140N25T Technisches Datenblatt

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IXFN140N25T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $22.47800 $224.78
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 19000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 690W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

APT50M85JVFR
NTD6N40T4
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$0 $/Stück
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$0 $/Stück
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DMN2028UFDF-13
RW1C025ZPT2CR
IXFN32N100P
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