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SIHG35N60EF-GE3

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SIHG35N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

nicht konform

SIHG35N60EF-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $7.81000 $7.81
10 $6.99700 $69.97
100 $5.78150 $578.15
500 $4.72834 $2364.17
1,000 $4.02620 -
2,500 $3.83716 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 32A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 134 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2568 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247AC
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

DMN2028UFDF-13
RW1C025ZPT2CR
IXFN32N100P
IXFN32N100P
$0 $/Stück
IRF100S201
FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/Stück
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/Stück

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