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IXFN150N65X2

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IXYS

MOSFET N-CH 650V 145A SOT227B

nicht konform

IXFN150N65X2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $34.36000 $34.36
10 $31.78300 $317.83
100 $27.14440 $2714.44
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 145A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 355 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 21000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

STW40N60M2-4
APT56F60B2
SQM35N30-97_GE3
BUK7E1R8-40E,127
NTMFS4847NAT1G
NTMFS4847NAT1G
$0 $/Stück
IRLU3110ZPBF
RM11N800TI
RM11N800TI
$0 $/Stück
UF3C120080K4S
UF3C120080K4S
$0 $/Stück

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