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IXFN26N120P

IXFN26N120P

IXFN26N120P

IXYS

MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B

IXFN26N120P Technisches Datenblatt

compliant

IXFN26N120P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10 $39.09800 $390.98
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 460mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 14000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 695W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SQJA70EP-T1_GE3
PMV65UNER
PMV65UNER
$0 $/Stück
SFR9224TF
FCP16N60N
FCP16N60N
$0 $/Stück
SI2312-TP
SI2312-TP
$0 $/Stück
FQN1N50CBU
NVMFS5C426NWFAFT1G
NVMFS5C426NWFAFT1G
$0 $/Stück
NTMFS4821NT1G
NTMFS4821NT1G
$0 $/Stück
DMNH4006SK3-13
SIHP105N60EF-GE3

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