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IXFN60N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

IXFN60N80P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN60N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $28.10000 $28.1
10 $25.99300 $259.93
30 $23.88500 $716.55
100 $22.19900 $2219.9
250 $20.37252 $5093.13
500 $19.38900 $9694.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 53A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 140mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 250 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 18000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SQSA80ENW-T1_GE3
NTMT190N65S3HF
NTMT190N65S3HF
$0 $/Stück
IXTH340N04T4
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$0 $/Stück
IXTA08N50D2
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$0 $/Stück
SIDR402DP-T1-RE3
IRF300P227
25P06
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$0 $/Stück
RTR025N05HZGTL
IRFS350A

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