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IXFN82N60P

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B

IXFN82N60P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN82N60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $29.04000 $29.04
10 $26.86200 $268.62
30 $24.68400 $740.52
100 $22.94160 $2294.16
250 $21.05400 $5263.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 72A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

SIHD3N50D-E3
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$0 $/Stück
FDS2582
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IRF710SPBF
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