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IRF710SPBF

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IRF710SPBF

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK

IRF710SPBF Technisches Datenblatt

nicht konform

IRF710SPBF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.64000 $1.64
50 $1.31080 $65.54
100 $1.14700 $114.7
500 $0.88950 $444.75
1,000 $0.70224 -
2,500 $0.65542 -
5,000 $0.62265 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 400 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 170 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 36W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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