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SIHA25N50E-GE3

SIHA25N50E-GE3

SIHA25N50E-GE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 500V

nicht konform

SIHA25N50E-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.35000 $3.35
500 $3.3165 $1658.25
1000 $3.283 $3283
1500 $3.2495 $4874.25
2000 $3.216 $6432
2500 $3.1825 $7956.25
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 145mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1980 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Full Pack
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDP5N60NZ
HUFA75637P3
PSMN4R0-30YLDX
SI4626ADY-T1-GE3
FDMS8018
FDMS8018
$0 $/Stück
PMN25EN,115
PMN25EN,115
$0 $/Stück
BUK7D36-60EX

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