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IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

IXFN82N60Q3

IXYS

MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B

IXFN82N60Q3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFN82N60Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $43.16000 $43.16
10 $40.36100 $403.61
100 $34.99500 $3499.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 66A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 275 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 13500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 960W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

RX3G18BGNC16
IRFS9N60ATRRPBF
STWA30N65DM6AG
NVTFS5C673NLTAG
NVTFS5C673NLTAG
$0 $/Stück
STF7N95K3
STF7N95K3
$0 $/Stück
SI4162DY-T1-GE3
STB200N6F3
STB200N6F3
$0 $/Stück
SISH112DN-T1-GE3

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