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SISH112DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK

nicht konform

SISH112DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.70520 -
6,000 $0.67209 -
15,000 $0.64844 -
91 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2610 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Tc)
Betriebstemperatur -50°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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Zugehörige Teilenummer

STW58N60DM2AG
FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/Stück
STF22N60DM6
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/Stück
SQS420EN-T1_GE3
R6520ENJTL
R6520ENJTL
$0 $/Stück

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