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STW58N60DM2AG

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MOSFET N-CH 600V 50A TO247

nicht konform

STW58N60DM2AG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.76000 $11.76
30 $9.78000 $293.4
120 $8.90000 $1068
510 $7.58000 $3865.8
1,020 $6.70000 -
50 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4100 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

FDMS86200DC
FDMS86200DC
$0 $/Stück
STF22N60DM6
NTMYS2D2N06CLTWG
NTMYS2D2N06CLTWG
$0 $/Stück
SQS420EN-T1_GE3
R6520ENJTL
R6520ENJTL
$0 $/Stück
IRF9620SPBF
IRF9620SPBF
$0 $/Stück

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