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STWA30N65DM6AG

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MOSFET N-CH 650V 28A TO247

nicht konform

STWA30N65DM6AG Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $6.65000 $6.65
500 $6.5835 $3291.75
1000 $6.517 $6517
1500 $6.4505 $9675.75
2000 $6.384 $12768
2500 $6.3175 $15793.75
3 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 28A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.75V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 46 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2000 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 284W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS5C673NLTAG
NVTFS5C673NLTAG
$0 $/Stück
STF7N95K3
STF7N95K3
$0 $/Stück
SI4162DY-T1-GE3
STB200N6F3
STB200N6F3
$0 $/Stück
SISH112DN-T1-GE3
STW58N60DM2AG

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