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IXFR26N60Q

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS247

IXFR26N60Q Technisches Datenblatt

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IXFR26N60Q Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 23A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 200 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI6473DQ-T1-GE3
IRF630NS
NTB125N02R
NTB125N02R
$0 $/Stück
IRL3502SPBF
SI1056X-T1-E3
IXTR30N25
IXTR30N25
$0 $/Stück

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