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IXFT16N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 16A TO268

IXFT16N80P Technisches Datenblatt

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IXFT16N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.86300 $175.89
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

DMN6017SK3-13
AUIRF1405ZL
NDS8426A
FDMS86200
FDMS86200
$0 $/Stück
FQB6N80TM
FQB6N80TM
$0 $/Stück
FQI5N20TU
CSD22205L
CSD22205L
$0 $/Stück
STF12N65M5
STF12N65M5
$0 $/Stück
DMP1045UFY4-7

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