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IXFT70N30Q3

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IXFT70N30Q3

IXYS

MOSFET N-CH 300V 70A TO268

IXFT70N30Q3 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFT70N30Q3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $15.75000 $15.75
30 $13.24600 $397.38
120 $12.17200 $1460.64
510 $10.38200 $5294.82
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 54mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 6.5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4735 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

IXTA130N10T7
IXTA130N10T7
$0 $/Stück
PSMN6R3-120ESQ
NVMFS5C404NWFAFT1G
NVMFS5C404NWFAFT1G
$0 $/Stück
STFW1N105K3
DMG3402LQ-13

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