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IXFX170N20P

IXFX170N20P

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IXYS

MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3

IXFX170N20P Technisches Datenblatt

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IXFX170N20P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $14.89267 $446.7801
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 185 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11400 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

FDN5618P
FDN5618P
$0 $/Stück
SIRA14BDP-T1-GE3
NVMFS6H858NT1G
NVMFS6H858NT1G
$0 $/Stück
PSMN2R0-30PL,127
SIHH105N60EF-T1GE3
SPU08N05L
IRFB3306PBF
FDPF085N10A
FDPF085N10A
$0 $/Stück
AUIRFB3806

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