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IXFX180N15P

IXFX180N15P

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IXYS

MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3

IXFX180N15P Technisches Datenblatt

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IXFX180N15P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.26867 $278.0601
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 240 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

NVHL110N65S3F
NVHL110N65S3F
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PMV45EN2R
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$0 $/Stück
PMZB380XN,315
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PMN23UN,135
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$0 $/Stück
HUF75345G3
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SIR5708DP-T1-RE3
IXTA1N120P-TRL
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