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IXFX66N85X

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IXYS

MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3

IXFX66N85X Technisches Datenblatt

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IXFX66N85X Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $20.24000 $20.24
30 $17.02000 $510.6
120 $15.64000 $1876.8
510 $13.34000 $6803.4
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 850 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 66A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 230 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8900 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

SQD50P06-15L_T4GE3
PML260SN,118
PML260SN,118
$0 $/Stück
VN2450N8-G
NVMFS3D6N10MCLT1G
NVMFS3D6N10MCLT1G
$0 $/Stück
FCI7N60
IXFH26N60P
IXFH26N60P
$0 $/Stück
IXTP56N15T
IXTP56N15T
$0 $/Stück
AUIRF7669L2TR

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