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IXFX80N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 80A PLUS247-3

IXFX80N50P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXFX80N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $16.70000 $16.7
30 $14.04167 $421.2501
120 $12.90300 $1548.36
510 $11.00551 $5612.8101
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 65mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 8mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 197 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 12700 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket PLUS247™-3
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

IXTP16N50P
IXTP16N50P
$0 $/Stück
SI7114DN-T1-E3
FCD850N80Z
FCD850N80Z
$0 $/Stück
SI4850EY-T1-E3
STI20N65M5
STI20N65M5
$0 $/Stück
IXFT50N60P3
IXFT50N60P3
$0 $/Stück
FQP2P40-F080
FQP2P40-F080
$0 $/Stück
DMN6040SK3-13
APT8014L2FLLG

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