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IXTA75N10P

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IXYS

MOSFET N-CH 100V 75A TO263

IXTA75N10P Technisches Datenblatt

compliant

IXTA75N10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.79000 $139.5
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 74 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVBGS4D1N15MC
NVBGS4D1N15MC
$0 $/Stück
NTGS4141NT1G
NTGS4141NT1G
$0 $/Stück
DMN2990UFZ-7B
FQI32N20CTU
NTLUS3A18PZTCG
NTLUS3A18PZTCG
$0 $/Stück
IPB051NE8NG
IRFU2405PBF

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