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IXTA76N25T

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 76A TO263

IXTA76N25T Technisches Datenblatt

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IXTA76N25T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $3.51000 $175.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 76A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 39mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263AA
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

STD110N02RT4G
STD110N02RT4G
$0 $/Stück
FDS4080N7
APL602B2G
IXFN100N50P
IXFN100N50P
$0 $/Stück
SI2336DS-T1-BE3
C3M0025065K
C3M0025065K
$0 $/Stück
FDMS0312S
IRF9520STRLPBF
RF4E110GNTR

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