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IXTA86N20X4

IXTA86N20X4

IXTA86N20X4

IXYS

MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO263

IXTA86N20X4 Technisches Datenblatt

compliant

IXTA86N20X4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.57000 $11.57
500 $11.4543 $5727.15
1000 $11.3386 $11338.6
1500 $11.2229 $16834.35
2000 $11.1072 $22214.4
2500 $10.9915 $27478.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 86A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D2Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SPB80N06S2-08
BUK7E13-60E,127
BUK7E13-60E,127
$0 $/Stück
NTTFS4C05NTAG
NTTFS4C05NTAG
$0 $/Stück
UJ4C075023B7S
UJ4C075023B7S
$0 $/Stück
SI7686DP-T1-GE3
SI2329DS-T1-GE3
SUD35N10-26P-GE3

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