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IXTH10N100D

IXTH10N100D

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 10A TO247

IXTH10N100D Technisches Datenblatt

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IXTH10N100D Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.20900 $306.27
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 130 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

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NVR1P02T1G
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