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IXTH2N150L

IXTH2N150L

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 2A TO247

SOT-23

IXTH2N150L Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH2N150L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.10200 $273.06
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 15Ohm @ 1A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 8.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 72 nC @ 20 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1470 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 290W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STD9NM50N
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$0 $/Stück
IRFP054PBF
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$0 $/Stück
NVMFS5C442NWFET1G
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SI4401DDY-T1-GE3
STF100N10F7
FDMC7660S
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