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IXTH60N20X4

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IXYS

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

IXTH60N20X4 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTH60N20X4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.76000 $12.76
500 $12.6324 $6316.2
1000 $12.5048 $12504.8
1500 $12.3772 $18565.8
2000 $12.2496 $24499.2
2500 $12.122 $30305
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STD13N60M6
STD13N60M6
$0 $/Stück
IXTP120N04T2
IXTP120N04T2
$0 $/Stück
RM30P30D3
RM30P30D3
$0 $/Stück
STW46NF30
STW46NF30
$0 $/Stück
SISS06DN-T1-GE3
RQ3E130BNTB
SI2367DS-T1-GE3
SIHK055N60EF-T1GE3
NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/Stück
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