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IXTH60N20X4

IXTH60N20X4

IXTH60N20X4

IXYS

MOSFET ULTRA X4 200V 60A TO-247

IXTH60N20X4 Technisches Datenblatt

compliant

IXTH60N20X4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.76000 $12.76
500 $12.6324 $6316.2
1000 $12.5048 $12504.8
1500 $12.3772 $18565.8
2000 $12.2496 $24499.2
2500 $12.122 $30305
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 21mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2450 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 250W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 (IXFH)
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

STD13N60M6
STD13N60M6
$0 $/Stück
IXTP120N04T2
IXTP120N04T2
$0 $/Stück
RM30P30D3
RM30P30D3
$0 $/Stück
STW46NF30
STW46NF30
$0 $/Stück
SISS06DN-T1-GE3
RQ3E130BNTB
SI2367DS-T1-GE3
SIHK055N60EF-T1GE3
NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/Stück
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